Pamięć RAM PNY Performance 8GB DDR4 2666 MHz SODIMM do laptopa wydajna CL19

Szybsza praca Twojego laptopa dzięki pamięci PNY 8GB DDR4 2666

PNY Pamięć 8GB DDR4 2666 SO-DIMM (MN8GSD42666-SB) to prosta i skuteczna aktualizacja, która natychmiast poprawi responsywność Twojego notebooka. Jeśli laptop zwalnia przy pracy na wielu kartach przeglądarki, edycji grafiki czy montażu wideo, moduł 8GB DDR4 2666 MHz przyspieszy uruchamianie aplikacji i zredukuje przycinanie systemu.

Kluczowe funkcje i zalety

PNY Performance DDR4 łączy prędkość z efektywnością energetyczną, oferując realne usprawnienie codziennej pracy i rozrywki.

• Pojemność 8 GB - optymalna do przeglądania, pracy biurowej i lekkiej edycji multimediów.
• Częstotliwość 2666 MHz - zwiększona przepustowość dla płynnego działania aplikacji.
• Format SODIMM - kompaktowy moduł dedykowany do laptopów i ultrabooków.
• CAS Latency CL19 - zbalansowane opóźnienia gwarantujące stabilność.
• Napięcie 1,2 V - niższe zużycie energii i lepsze zarządzanie temperaturą.
• Kompatybilność - działa z częstotliwościami 2666/2400/2133/1866 MHz, co ułatwia instalację w wielu systemach.
• Moduł pojedynczy (1 szt.) - szybka i bezproblemowa rozbudowa pamięci.

Design i jakość wykonania

Moduł SODIMM o wymiarach 69 x 28 x 5 mm został zaprojektowany z myślą o łatwej instalacji i pewnym montażu w gnieździe laptopa. Opakowanie tekturowe z zawieszką ułatwia ekspozycję w sklepie, a solidne wykonanie zapewnia trwałość podczas codziennego użytkowania.

PNY stosuje rygorystyczne testy jakości, dzięki czemu moduł działa stabilnie w rzeczywistych warunkach pracy.

Praktyczne zastosowania

Pamięć PNY 8GB DDR4 sprawdzi się w wielu scenariuszach — od pracy z dokumentami po wymagające aplikacje kreatywne. To aktualizacja, która realnie ułatwia codzienne zadania i przyspiesza przepływ pracy.

• Dla osób pracujących z wieloma kartami przeglądarki - płynniejsze przełączanie i mniej zamrożeń systemu.
• Dla grafików i montażystów - szybsze ładowanie projektów i płynniejsza edycja w popularnych programach.
• Dla studentów i użytkowników biurowych - sprawniejsze działanie pakietów biurowych i narzędzi online.
• Dla graczy mobilnych - lepsze zarządzanie pamięcią podczas uruchamiania gier i aplikacji pomocniczych.

Technologie i innowacje

DDR4 2666 MHz oferuje wyższą przepustowość niż starsze generacje pamięci, a napięcie 1,2 V przekłada się na niższe zużycie energii i mniejsze nagrzewanie się podzespołów. CL19 gwarantuje kompromis między szybkością a stabilnością, a moduł automatycznie współpracuje z niższymi częstotliwościami tam, gdzie system tego wymaga. PNY od lat inwestuje w testy i produkcję pamięci, co przekłada się na solidne działanie w rzeczywistych zastosowaniach.

Parametry techniczne

• Producent: PNY
• Model: MN8GSD42666-SB
• Typ pamięci: SODIMM DDR4
• Pojemność: 8 GB
• Częstotliwość: 2666 MHz
• CAS Latency: CL19
• Napięcie: 1,2 V
• Liczba modułów w zestawie: 1
• Wymiary: 69 x 28 x 5 mm
• Kompatybilność częstotliwości: 2666 / 2400 / 2133 / 1866 MHz
• Opakowanie: tekturowe z zawieszką